FQB17P10是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等场景。其设计特点是具有较低的导通电阻和快速的开关性能,适用于高效率的功率转换应用。
该器件采用TO-252封装形式,能够承受较高的电流和电压,同时具备良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压(VDS):60V
最大栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):17A
导通电阻(RDS(on)):10mΩ
总功耗(Ptot):34W
工作温度范围(TJ):-55°C to 175°C
栅极电荷(Qg):29nC
反向恢复时间(trr):18ns
FQB17P10的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(RDS(on)),在大电流条件下减少功率损耗,提升整体效率。
2. 快速的开关速度,确保高频应用中的高效表现。
3. 高耐压能力(60V VDS),适用于多种电压等级的应用场景。
4. 良好的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持性能。
5. 小巧的TO-252封装,节省PCB空间,便于布局设计。
6. 高可靠性,适合工业级和消费级应用需求。
FQB17P10适用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和功率因数校正(PFC)。
2. DC-DC转换器和降压/升压电路中的功率开关。
3. 电机驱动中的功率级控制。
4. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 家用电器中的功率控制单元。
FQP17P10,
FDP17P10,
IRLZ17P10