时间：2025/5/24 14:53:41
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FQB17P10是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等场景。其设计特点是具有较低的导通电阻和快速的开关性能，适用于高效率的功率转换应用。
该器件采用TO-252封装形式，能够承受较高的电流和电压，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压(VDS)：60V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：17A
导通电阻(RDS(on))：10mΩ
总功耗(Ptot)：34W
工作温度范围(TJ)：-55°C to 175°C
栅极电荷(Qg)：29nC
反向恢复时间(trr)：18ns
FQB17P10的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），在大电流条件下减少功率损耗，提升整体效率。
2. 快速的开关速度，确保高频应用中的高效表现。
3. 高耐压能力（60V VDS），适用于多种电压等级的应用场景。
4. 良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持性能。
5. 小巧的TO-252封装，节省PCB空间，便于布局设计。
6. 高可靠性，适合工业级和消费级应用需求。
FQB17P10适用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和功率因数校正（PFC）。
2. DC-DC转换器和降压/升压电路中的功率开关。
3. 电机驱动中的功率级控制。
4. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 家用电器中的功率控制单元。
FQP17P10,
FDP17P10,
IRLZ17P10
