时间：2025/6/24 12:28:30
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FQB13N50C是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效开关和低导通损耗的电路中。其耐压为500V，持续电流为13A，具有较低的导通电阻和快速的开关速度，能够满足高效率和高可靠性的设计需求。
该MOSFET具有良好的雪崩能力，在过载或异常条件下可以提供额外的保护功能。此外，FQB13N50C还具备极低的栅极电荷，有助于减少开关损耗，特别适合高频应用场合。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：13A
导通电阻（典型值）：1.4Ω
栅极电荷：16nC
输入电容：1170pF
总开关时间：85ns
功耗：290W
工作结温范围：-55℃至+150℃
FQB13N50C具有以下关键特性：
1. 高击穿电压（500V），适用于高压环境。
2. 较低的导通电阻（1.4Ω典型值），可有效降低导通损耗。
3. 极低的栅极电荷，有助于提高开关效率并减少发热。
4. 快速开关性能，适合高频开关应用。
5. 具备优秀的雪崩能力和热稳定性，能够在异常条件下提供额外保护。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
FQB13N50C广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率控制。
3. 工业逆变器及不间断电源（UPS）系统。
4. 荧光灯电子镇流器。
5. 各类高压开关应用，例如电磁阀驱动和继电器替代。
6. 高效DC/DC转换器设计。
其高压特性和高效的开关性能使其成为许多工业和消费类电子产品的理想选择。
FQP13N50,FDP13N50,IRF540N
