时间：2025/12/29 15:08:21
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FQB13N50是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机驱动、开关电源（SMPS）以及各种高电压高电流的开关控制电路中。该器件采用TO-220封装，具备良好的导通性能和较高的击穿电压，适合用于需要高效、高可靠性的功率应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：13A
导通电阻（RDS(on)）：0.38Ω（典型值）
功耗（PD）：125W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
FQB13N50具有低导通电阻的特性，这使得在工作过程中产生的导通损耗较小，从而提高了系统的整体效率。其高击穿电压（500V）确保了在高压应用中的稳定性和安全性，适用于开关电源、DC-DC转换器以及马达控制等场合。此外，该MOSFET具备较强的热稳定性和过载能力，能够在较恶劣的工作环境下保持可靠运行。由于采用了先进的平面工艺和沟槽技术，FQB13N50在高频开关应用中表现出色，能够有效降低开关损耗，提高响应速度。其TO-220封装形式也便于安装和散热设计，适用于多种工业和消费类电子产品。
另外，FQB13N50还具备良好的抗静电能力和栅极保护设计，防止在操作过程中因静电放电而损坏器件。其栅极驱动电压范围较宽，通常在10V至20V之间均可实现良好的导通状态，这为设计者提供了更大的灵活性。此外，该器件的封装设计具有良好的绝缘性能，确保在高电压工作条件下也能安全使用。
FQB13N50广泛应用于各类功率电子设备中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-AC逆变器、DC-DC转换器、马达驱动电路、充电器、LED照明电源、工业自动化控制系统以及家电产品中的电源模块。由于其具备较高的电压和电流承受能力，因此在需要高效能、高可靠性的工业电源设计中尤为常见。此外，该MOSFET也可用于电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器以及电动车控制器等新兴应用领域。
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