时间：2025/6/11 19:58:04
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FQB11N40是一款N沟道增强型功率MOSFET，适用于高电压和高电流的应用场景。该器件采用TO-220封装形式，具有低导通电阻、快速开关特性和良好的热性能，广泛应用于电源管理、电机驱动、开关电源以及负载切换等电路中。
这款MOSFET的最大漏源电压为400V，能够承受较高的电压波动，并且具备出色的雪崩击穿能力和鲁棒性。由于其优异的电气性能和可靠性，FQB11N40成为工业和消费电子领域中的热门选择。
最大漏源电压：400V
连续漏极电流：1.1A
导通电阻：8.5Ω（典型值，在Vgs=10V时）
栅极阈值电压：2V~4V
总功耗：10W
工作结温范围：-55℃~+150℃
1. 高耐压能力，支持高达400V的工作电压。
2. 极低的导通电阻，减少功率损耗并提升效率。
3. 快速开关速度，适合高频应用场合。
4. 出色的雪崩击穿能力，提高系统的可靠性和安全性。
5. 采用标准TO-220封装，便于散热设计和安装。
6. 宽泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境条件。
7. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. 电机驱动电路中的控制和保护组件。
3. 各类负载切换和继电器替代方案。
4. 逆变器和变频器的核心功率器件。
5. LED驱动和调光系统中的功率调节单元。
6. 工业自动化设备中的功率转换模块。
7. 消费类电子产品中的电源管理和电池充电管理部分。
IRF840, K1105G, STP11NM60
