时间：2025/12/29 15:00:05
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FQB10N50CFTM_WS 是富士电机（Fuji Electric）生产的一款N沟道功率MOSFET，属于其超结（Super Junction）MOSFET产品线。该器件设计用于高效率、高频率开关应用，具备低导通电阻和快速开关特性，适用于电源适配器、LED照明、工业电源、PFC（功率因数校正）电路等场景。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：500V
连续漏极电流（Id）@25℃：10A
导通电阻（Rds(on)）：最大0.62Ω（典型0.52Ω）
栅极电压（Vgs）：±30V
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装类型：TO-220F（表面贴装）
功率耗散（Pd）：80W
输入电容（Ciss）：600pF（典型值）
开关时间：导通时间（Ton）约17ns，关断时间（Toff）约40ns
FQB10N50CFTM_WS 采用富士电机先进的超结结构技术，显著降低了导通电阻并提升了开关性能。该器件具有较高的击穿电压（500V），能够在较高的电压下稳定工作。其低Rds(on)特性有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高温环境下运行，提高了系统的可靠性和寿命。封装采用TO-220F，便于散热和安装，适用于表面贴装工艺，适应现代自动化生产需求。
该型号还具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容，有利于减少驱动损耗和提高开关速度，从而适应高频开关应用。器件内部结构优化，减小了反向恢复损耗，对提高整个系统的效率有显著帮助。此外，该MOSFET具备较强的雪崩能量耐受能力，提高了在异常工况下的安全性和稳定性。
FQB10N50CFTM_WS 主要应用于需要高效率和高频开关的电源系统中，如AC-DC电源适配器、LED驱动电源、工业自动化设备电源、DC-DC转换器以及PFC（功率因数校正）电路等。其高耐压和低导通电阻的特性使其在开关电源设计中具有较高的性价比。此外，也可用于电机控制、充电器、太阳能逆变器等电力电子系统中，满足对能效和散热要求较高的场合。
FQA10N50C, FCP10N50C, 10N50C, FQB12N50C
