时间：2025/5/12 21:28:22
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FQA9N90C 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于各种高效能的功率转换应用。FQA9N90C 通常被设计到开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高性能功率管理的场合。
FQA9N90C 的封装形式为 TO-247-3 和 TO-220-3，能够提供优异的散热性能，从而提高系统的可靠性。
最大漏源电压：900V
最大连续漏极电流：14A
最大漏源导通电阻：0.65Ω
总栅极电荷：65nC
输入电容：2000pF
开关速度：快速
FQA9N90C 具有以下显著特点：
1. 高耐压能力，额定漏源电压高达 900V，适用于高压环境。
2. 极低的导通电阻，仅为 0.65Ω，有助于减少功率损耗并提升效率。
3. 快速开关性能，总栅极电荷仅为 65nC，确保在高频应用中的高效运行。
4. 输入电容小，约为 2000pF，进一步优化了开关性能。
5. 工作温度范围广，能够在 -55°C 至 +150°C 的结温范围内稳定工作。
6. 提供两种常见的封装形式（TO-247-3 和 TO-220-3），便于安装与散热设计。
FQA9N90C 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动，尤其是高压电机控制场景。
3. UPS 不间断电源系统。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源设备。
5. 各种工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 高压负载开关和电子电路保护装置。
FQA14N90C, FQA18N90C, IRFP460
