FQA9N60C 时间：2025/8/24 19:42:23 阅读：5

FQA9N60C是一款由Fairchild（飞兆半导体，现为安森美半导体的一部分）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制、照明镇流器以及各种高电压和高功率电子系统中。该器件采用先进的平面条形FET技术和高密度单元设计，能够在高电压条件下提供较低的导通电阻和更高的效率。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：9A
　　漏-源极击穿电压（VDS）：600V
　　栅-源极电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.85Ω @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220

特性

FQA9N60C采用了飞兆半导体的先进平面工艺技术，确保了在高压应用中具有良好的稳定性和可靠性。其导通电阻低至0.85Ω，在高温条件下仍能保持较低的导通损耗，有助于提高电源转换效率。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和高雪崩能量耐受能力，能够在极端工作条件下维持稳定运行。FQA9N60C还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，从而减小外部滤波元件的尺寸并提高系统整体效率。该器件的封装形式为TO-220，便于安装和散热管理，适用于各种工业级和消费级电子设备。
　　FQA9N60C在设计上优化了开关性能，减少了开关过程中的能量损耗，降低了电磁干扰（EMI）。此外，其较高的栅极阈值电压增强了抗干扰能力，使得该器件在复杂电磁环境中也能稳定运行。其出色的热阻性能和较大的安全工作区（SOA）使其在高负载条件下具有良好的耐久性。