类型：N沟道
　　漏极电流（ID）：50A
　　漏极-源极电压（VDS）：600V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.18Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装：TO-262

FQA50N60具有多项优异的电气和机械特性。首先，其高漏极电流能力（50A）使其能够承受较大的负载电流，适用于需要高功率输出的应用场景。其次，漏极-源极电压额定值为600V，这使得该MOSFET能够在较高的电压条件下可靠运行。此外，FQA50N60的导通电阻较低，约为0.18Ω，这有助于减少导通损耗，提高系统的整体效率。栅极-源极电压允许达到±20V，提供了较大的驱动灵活性。MOSFET的工作温度范围宽，从-55°C到150°C，使其能够在极端环境条件下保持稳定运行。TO-262封装形式不仅便于安装，还具备良好的散热性能，确保在高功率应用中不会因过热而导致性能下降或损坏。最后，FQA50N60采用了先进的平面工艺和沟槽技术，提升了器件的可靠性和耐用性，适用于各种苛刻的工作环境。

FQA50N60广泛应用于多个领域，包括但不限于开关电源、DC-DC转换器、UPS（不间断电源）、电机控制、照明系统以及工业自动化设备。在开关电源中，FQA50N60可以作为主开关器件，负责将输入的直流电压转换为高频交流信号，随后通过变压器进行电压变换。在DC-DC转换器中，该MOSFET可用于升压或降压电路，以实现高效的电压调节。此外，FQA50N60还常用于电机驱动电路中，通过控制MOSFET的导通和关断来调节电机的速度和方向。在照明系统中，该器件可用于LED驱动器或高强度放电灯（HID）镇流器，提供稳定的电流控制。由于其高可靠性和优异的热性能，FQA50N60也适用于一些要求较高的工业控制系统中，如变频器和伺服驱动器。

FQA50N60F, FQA50N60C, FQA50N60DTU