时间：2025/5/19 14:25:12
阅读：7
FQA28N50是一款由Fairchild（现已被ON Semiconductor收购）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用了先进的MDmeshTM IV技术，具有低导通电阻和高雪崩能力，适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用领域。
FQA28N50的额定电压为500V，能够承受较高的反向电压，同时其典型导通电阻较低，从而减少了导通损耗并提高了系统效率。此外，该器件还具备快速开关特性以及出色的热性能，这使得它在高频开关应用中表现优异。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：6.9A
导通电阻（Rds(on)）：0.47Ω
栅极电荷：31nC
输入电容：1060pF
总电容：2050pF
结温范围：-55℃至+150℃
1. 高电压耐受能力，最高可承受500V的漏源电压。
2. 采用MDmeshTM IV技术，确保了较低的导通电阻和更高的电流密度。
3. 具备强大的雪崩击穿能力和高可靠性，适用于严苛的工作环境。
4. 快速开关特性有助于降低开关损耗，提高整体系统效率。
5. 小型封装设计，节省电路板空间，便于高密度布局。
6. 符合RoHS标准，环保且易于焊接与组装。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动
4. 负载开关
5. PFC（功率因数校正）电路
6. 各类工业控制及家电中的功率管理模块
