时间：2025/8/24 16:40:26
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FQA28N20是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET晶体管，广泛用于电源管理、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器以及电机控制等高功率应用。该器件采用TO-262封装，具有较低的导通电阻和较高的耐压能力，适合在高效率和高可靠性要求的电路中使用。
类型：N沟道
最大漏源电压（VDS）：200V
最大漏极电流（ID）：28A
导通电阻（RDS(on)）：0.125Ω（最大）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.1V ~ 4.0V
最大功率耗散（PD）：100W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-262
FQA28N20具有出色的导通性能和开关特性，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了整体系统的效率。该器件采用了先进的平面技术，具备良好的热稳定性和较高的可靠性。此外，FQA28N20还具有快速的开关速度，适用于高频开关应用，如电源适配器、电池充电器和LED驱动器等。
FQA28N20的封装形式为TO-262，具有良好的散热性能，能够在高电流条件下稳定运行。其内部结构设计优化了电场分布，提高了器件的耐压能力和抗过载能力，适用于各种恶劣工作环境。
该MOSFET还具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。此外，FQA28N20的栅极驱动特性较为温和，适用于常见的驱动电路设计，降低了外围电路的复杂度和成本。
FQA28N20主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制器、LED照明驱动器、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）以及工业自动化控制系统等领域。其优异的性能和高可靠性使其成为各种高功率密度和高效率电源系统的理想选择。
FQA30N20、FQA24N20、FQA28N20C、IRF3808、STP28NF20
