类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：900V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：20A（连续）
　　漏极峰值电流（Idm）：80A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.26Ω（最大值）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-3P

FQA20N90具备多个关键特性，使其在高压功率应用中表现出色。首先，其高达900V的漏源电压（Vds）使其适用于高电压输入环境，例如工业电源和高压电池管理系统。其次，导通电阻Rds(on)最大为0.26Ω，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET支持高达80A的峰值漏极电流，具备较强的瞬态响应能力，可应对负载突变等复杂工况。
　　在可靠性方面，FQA20N90具有高雪崩能量耐受能力，能够在极端条件下维持稳定工作，防止因电压尖峰导致的器件损坏。此外，其±30V的栅极电压耐受能力增强了栅极驱动电路的设计灵活性，提高了抗干扰能力。热阻方面，TO-3P封装具备良好的散热性能，有助于降低工作温度，延长器件使用寿命。
　　该器件还具备较快的开关速度，适用于高频开关应用，如谐振变换器和LLC转换器。同时，其低栅极电荷（Qg）也有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。

FQA20N90广泛应用于各种高功率电子设备中。其典型应用场景包括开关电源（SMPS）、大功率DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、工业电机控制、LED照明驱动电源以及太阳能逆变器等。此外，由于其具备高耐压和高电流能力，也适用于电动车充电设备、储能系统和高压LED驱动模块等新兴领域。在这些应用中，FQA20N90能够提供高效、稳定的功率转换性能，满足现代电力电子系统对高效能和高可靠性的需求。

FQA24N90、FQA18N90、IXFH20N90、STF20N90K5