时间：2025/5/7 12:23:13
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FQA11N90-F109 是一款由 Fairchild（现已被 ON Semiconductor 收购）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关特性，适用于各种高频开关应用。它通常用于电源管理、电机驱动、逆变器以及 DC-DC 转换器等场景。
该 MOSFET 采用了先进的沟槽技术，能够显著降低导通损耗并提高系统效率。其封装形式为 TO-263 (D2PAK)，适合表面贴装工艺。
最大漏源电压：900V
连续漏极电流：11A
导通电阻（典型值）：3.8Ω
栅极电荷：45nC
输入电容：1450pF
总功耗：17W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
FQA11N90-F109 提供了出色的电气性能，主要特性包括：
1. 高耐压能力，最高可达 900V，适用于高压环境下的电路设计。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），在 10V 栅极驱动条件下仅为 3.8Ω，有助于减少传导损耗。
3. 快速开关速度，得益于较小的栅极电荷和输出电荷，能够支持高频工作。
4. 强大的散热能力，采用 D2PAK 封装，具备良好的热阻特性。
5. 广泛的工作温度范围，能够在极端温度条件下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业要求。
FQA11N90-F109 的典型应用场景包括：
1. 开关电源（SMPS）中的功率因数校正（PFC）电路。
2. 电机控制和驱动，例如无刷直流电机（BLDC）控制器。
3. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
4. 工业自动化设备中的继电器和接触器驱动。
5. 各种 DC-DC 转换器和升压/降压变换器。
6. 电动车充电器和其他需要高压切换的应用领域。
FQA12N90,
FQA13N90,
STW90N10,
IRFP460
