型号：FQ235A
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600 V
　　最大漏极电流（ID）：7 A（@25°C）
　　连续漏极电流（IDC）：7 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：28 A
　　最大栅源电压（VGS）：±30 V
　　阈值电压（VGS(th)）：3.0 ~ 5.0 V
　　导通电阻（RDS(on)）：1.0 Ω（@VGS=10V）
　　输入电容（Ciss）：520 pF（@VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：100 pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间（trr）：45 ns
　　功耗（PD）：50 W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220F

FQ235A具备多项关键特性，使其在同类MOSFET中表现出色。首先，其高达600V的漏源击穿电压使其非常适合用于离线式开关电源、AC-DC转换器以及其他高压应用场景。该电压等级允许器件在不发生击穿的情况下承受较高的瞬态电压冲击，提高了系统在异常工况下的可靠性。其次，FQ235A的导通电阻RDS(on)典型值为1.0Ω，在VGS=10V条件下能够有效降低导通损耗，提升整体能效。这对于需要长时间运行且对温升敏感的应用尤为重要。
　　该器件采用先进的平面工艺制造，确保了良好的均匀性和一致性，同时优化了载流子迁移率，从而实现了较快的开关速度。其输入电容和输出电容较小，分别为520pF和100pF，这有助于减少驱动电路的能量消耗，并加快开关响应时间，适用于高频开关应用如PWM控制器驱动的电源模块。此外，反向恢复时间仅为45ns，说明其体二极管具有较快的恢复能力，减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），有利于提高系统的动态性能和稳定性。
　　FQ235A还具备优秀的热性能，TO-220F封装不仅便于安装散热片，还能有效将热量从芯片传导至外部环境，确保在满载或高温环境下仍能安全运行。其最大功耗可达50W，结温范围宽达-55°C至+150°C，适应各种恶劣工作条件。栅极氧化层经过特殊处理，可承受±30V的栅源电压，增强了对静电放电（ESD）和误操作的耐受能力。这些综合特性使FQ235A在工业电源、照明驱动、电机控制等领域具有广泛的应用前景。

FQ235A主要应用于需要中高电压、中等电流开关能力的电力电子系统中。典型应用包括开关模式电源（SMPS），如反激式、正激式和半桥拓扑结构的AC-DC适配器与充电器，其600V的耐压能力正好匹配整流后的市电电压水平，能够在全桥整流后约310V直流母线上稳定工作。此外，在DC-DC转换器中，FQ235A可用于升压（Boost）、降压（Buck）或反激（Flyback）电路，作为主开关元件实现高效的能量转换。
　　在LED照明驱动电源中，FQ235A常被用作初级侧开关管，配合控制器IC完成恒流输出调节，尤其适用于大功率LED路灯、工业照明等场景。由于其具备较低的导通电阻和较快的开关速度，能够显著降低功率损耗，提升电源效率，符合节能环保的设计趋势。
　　在工业自动化领域，FQ235A可用于电机驱动电路中的功率开关，控制小型电机或电磁阀的启停。其良好的热稳定性和抗干扰能力保证了在复杂电磁环境中长期可靠运行。此外，该器件也常见于逆变器、UPS不间断电源和太阳能微逆系统中，承担能量转换的核心角色。
　　由于采用标准TO-220F封装，FQ235A易于手工焊接或自动化装配，兼容性强，适合多种生产工艺。其性价比高，兼具性能与成本优势，因此在消费类电子产品、家电控制板、电源模块等领域也得到广泛应用。总之，FQ235A凭借其优异的电气特性和广泛的适用性，已成为众多电源设计工程师的常用选型之一。

FQA7N60, FQP7N60, STP7NK60ZFP, 2SK3562, K2353