类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　漏极电流（ID）：14A（在TC=25℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.32Ω
　　栅极电荷（Qg）：45nC（典型值）
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散（PD）：125W
　　漏极-源极击穿电压（BVDSS）：500V

FPHD54T2具备多项优异的电气和物理特性，适用于高频率、高效率的功率转换应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较低的栅极电荷（Qg），从而减少了开关过程中的能量损耗，使其在高频工作条件下仍能保持良好性能。
　　其次，FPHD54T2的高耐压能力（500V）使其能够适用于高压电源系统，如PFC（功率因数校正）电路和高压DC-DC转换器。其高电流能力（14A）也确保了在较大负载条件下仍能稳定工作。
　　该MOSFET采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适用于各种电源模块和工业控制设备。此外，其宽工作温度范围（-55℃至+150℃）也确保了在极端环境条件下的稳定性和可靠性。
　　另外，FPHD54T2还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性，能够承受瞬态高电压和高电流冲击，从而提高系统的安全性和耐用性。

FPHD54T2广泛应用于各种高效率电源管理系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、PFC（功率因数校正）电路以及工业自动化设备中的电源模块。此外，该器件也适用于LED驱动电源、充电器和适配器等需要高效率、高稳定性的电源转换场合。在新能源领域，如太阳能逆变器和电动车充电系统中，FPHD54T2也可作为关键的功率开关元件使用，提供高效、可靠的功率转换能力。

FQA14N50C, FDPF5N50, FCH07N60F, FGH40N40