您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > FPF2G120BF07AS

FPF2G120BF07AS 发布时间 时间:2025/7/5 5:31:45 查看 阅读:35

FPF2G120BF07AS 是一款由 Fairchild(现为 ON Semiconductor)生产的 N 沣道制功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用 TO-252 封装,具有高效率和低导通电阻的特点,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效能功率管理的场景。
  FPF2G120BF07AS 的设计重点在于降低功耗和提高系统效率,同时保持良好的热性能。其优异的动态性能使其成为众多工业和消费类电子产品的理想选择。

参数

最大漏源电压:120V
  连续漏极电流:2.4A
  导通电阻(Rds(on)):65mΩ(典型值,在 Vgs=10V 下)
  栅极电荷:8nC(典型值)
  总功耗:1.3W
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-252

特性

FPF2G120BF07AS 具有以下显著特点:
  1. 超低导通电阻(Rds(on)),能够有效减少传导损耗并提升系统效率。
  2. 高速开关能力,适用于高频应用环境。
  3. 优化的栅极电荷设计,降低了驱动损耗。
  4. 出色的热稳定性,确保在高温环境下仍能保持可靠运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且支持无铅焊接工艺。
  这些特性使得 FPF2G120BF07AS 在各种功率转换和控制电路中表现出色。

应用

FPF2G120BF07AS 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),包括适配器和充电器。
  2. 直流-直流转换器(DC-DC Converter)。
  3. 电机驱动和控制电路。
  4. 电池管理系统(BMS)。
  5. 各种工业和消费类电子产品中的负载开关和保护电路。
  由于其高效的功率处理能力和可靠性,这款 MOSFET 成为了许多工程师设计高性能电路时的首选。

替代型号

IRLZ44N, AO3400A, FDN340P

FPF2G120BF07AS推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

FPF2G120BF07AS参数

  • 现有数量64现货
  • 价格1 : ¥837.92000托盘
  • 系列-
  • 包装托盘托盘
  • 产品状态停产
  • IGBT 类型场截止
  • 配置3 个独立式
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)40 A
  • 功率 - 最大值156 W
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2.2V @ 15V,40A
  • 电流 - 集电极截止(最大值)250 μA
  • 不同?Vce 时输入电容 (Cies)-
  • 输入标准
  • NTC 热敏电阻
  • 工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳模块
  • 供应商器件封装F2