FPF2G120BF07AS 是一款由 Fairchild(现为 ON Semiconductor)生产的 N 沣道制功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用 TO-252 封装,具有高效率和低导通电阻的特点,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效能功率管理的场景。
FPF2G120BF07AS 的设计重点在于降低功耗和提高系统效率,同时保持良好的热性能。其优异的动态性能使其成为众多工业和消费类电子产品的理想选择。
最大漏源电压:120V
连续漏极电流:2.4A
导通电阻(Rds(on)):65mΩ(典型值,在 Vgs=10V 下)
栅极电荷:8nC(典型值)
总功耗:1.3W
工作结温范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-252
FPF2G120BF07AS 具有以下显著特点:
1. 超低导通电阻(Rds(on)),能够有效减少传导损耗并提升系统效率。
2. 高速开关能力,适用于高频应用环境。
3. 优化的栅极电荷设计,降低了驱动损耗。
4. 出色的热稳定性,确保在高温环境下仍能保持可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准,环保且支持无铅焊接工艺。
这些特性使得 FPF2G120BF07AS 在各种功率转换和控制电路中表现出色。
FPF2G120BF07AS 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),包括适配器和充电器。
2. 直流-直流转换器(DC-DC Converter)。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 电池管理系统(BMS)。
5. 各种工业和消费类电子产品中的负载开关和保护电路。
由于其高效的功率处理能力和可靠性,这款 MOSFET 成为了许多工程师设计高性能电路时的首选。
IRLZ44N, AO3400A, FDN340P