类型：静态随机存取存储器（SRAM）
　　容量：8K x 8位（64Kbit）
　　工作电压：2.7V ~ 5.5V
　　访问时间：10ns（最大）
　　封装形式：28引脚DIP/SOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C ~ +85°C）
　　输入/输出电平：兼容TTL和CMOS
　　功耗：典型工作电流为数毫安级（视工作频率而定）

CXK5864BM10L SRAM芯片具备高速访问能力，其最大访问时间仅为10ns，能够满足高速数据交换的需求。其宽电压设计（2.7V至5.5V）使其适用于多种电源环境，提升了系统的兼容性和适应性。
　　该芯片采用CMOS工艺制造，具有较低的静态功耗，在待机状态下电流极小，适用于对功耗敏感的应用场景。同时，其工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C至+85°C），确保在严苛环境下的稳定运行。
　　此外，CXK5864BM10L 具有良好的抗干扰能力和稳定性，适用于高可靠性要求的工业控制系统、通信设备以及嵌入式应用。其封装形式兼容标准28引脚DIP或SOP插槽，便于在PCB上布局和安装。
　　该芯片还支持异步读写操作，无需时钟同步控制，简化了系统设计。其输入输出电平兼容TTL和CMOS标准，能够与多种控制器或逻辑电路直接连接，提升设计灵活性。

CXK5864BM10L SRAM芯片广泛应用于需要快速数据存储和访问的系统中。常见的应用包括工业控制设备中的缓存存储器、嵌入式系统的临时数据存储、通信模块的数据缓冲、打印机或显示设备的帧缓存等。
　　此外，该芯片也适用于智能仪表、医疗设备、汽车电子系统以及数据采集设备中，作为高速临时存储单元使用。由于其低功耗特性，也适用于需要间歇性工作的电池供电设备。
　　在设计中，CXK5864BM10L 常用于替代传统的异步SRAM芯片，如HM6264、CY6264等，提供更宽的工作电压范围和更低的功耗，适用于升级或替换现有系统中的SRAM组件。

HM6264BLP-10、CY6264-10ZSXI、IS62C64AL-10TLI、TC5564-10CF