时间：2025/5/15 14:42:17
阅读：10
FPF1018是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252封装形式。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、快速开关特性和高击穿电压的特点，适用于各种高效能开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及其他需要低损耗和高频工作的应用场景。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：14A
导通电阻（Rds(on)）：7mΩ
栅极电荷：15nC
反向恢复时间：35ns
工作温度范围：-55℃ to +150℃
FPF1018采用了先进的制造工艺，实现了超低的导通电阻和高效的开关性能。其主要特性包括：
- 极低的导通电阻，可显著降低传导损耗。
- 快速的开关速度，适合高频应用。
- 高度稳定的电气特性，能够在较宽的工作温度范围内保持一致的性能。
- 低栅极电荷，有助于减少驱动损耗。
- 符合RoHS标准，环保且可靠。
- TO-252封装形式，便于安装和散热设计。
FPF1018广泛应用于以下领域：
- 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
- DC-DC转换器中的同步整流和主开关。
- 电机驱动电路中的功率级开关。
- 负载开关和保护电路中的控制元件。
- 其他需要高效能功率管理的应用场景。
IRFZ44N, FPF1019
