型号：D2186-30
　　制造商：Toshiba
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：17A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：70A
　　导通电阻(RDS(on))：4.2mΩ @ VGS=10V, ID=8.5A
　　导通电阻(RDS(on))：5.3mΩ @ VGS=4.5V, ID=8.5A
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容(Ciss)：2200pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间(trr)：28ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-8

D2186-30的核心特性之一是其极低的导通电阻RDS(on)，这使得器件在大电流工作条件下能够显著降低导通损耗，提升整体系统效率。在VGS=10V时，RDS(on)仅为4.2mΩ，即便在较低的驱动电压4.5V下，也能保持5.3mΩ的低阻值，说明其具备良好的低电压驱动能力，适用于由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的应用场景。这种低阈值和低RDS(on)的结合，使其在电池供电设备中尤为适用，有助于延长续航时间。
　　该器件采用了东芝专有的U-MOS VIII-H工艺技术，通过优化沟道设计和载流子迁移率，实现了更高的单位面积电流密度和更优的开关速度。其输入电容Ciss为2200pF，在同类产品中处于较低水平，有助于减少栅极驱动功耗，提高高频开关性能。此外，D2186-30具有较低的栅极电荷（Qg typ. 27nC @ VDS=15V），进一步降低了开关过程中的能量损耗，适合用于工作频率较高的DC-DC变换器和同步整流电路。
　　在热性能方面，SOP-8封装虽然体积小巧，但通过内部引线框架和散热焊盘的设计，能够有效将热量传导至PCB，实现良好的热管理。建议在使用时将底部散热焊盘焊接至大面积铜箔以增强散热效果。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保了在恶劣环境下的可靠运行。同时，D2186-30具备良好的雪崩耐量和抗静电能力，增强了在瞬态过压和工业环境中的鲁棒性。内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=28ns），减少了反向恢复电荷，降低了开关节点的电压振铃和电磁干扰，提高了系统稳定性。

D2186-30因其高性能参数和紧凑封装，广泛应用于多种电力电子系统中。在开关电源（SMPS）中，常作为同步整流器使用，替代传统的肖特基二极管，大幅降低导通压降和功率损耗，从而提高电源转换效率，尤其是在低压大电流输出的AC-DC适配器和多相VRM设计中表现突出。
　　在DC-DC降压或升压转换器中，D2186-30可作为高边或低边开关，配合控制器实现高效的电压调节，常见于服务器电源、笔记本电脑主板及通信设备电源模块。其快速开关能力和低栅极驱动需求使其非常适合高频操作，有助于减小外围电感和电容的尺寸，实现小型化设计。
　　此外，该器件也适用于电机驱动电路，如无人机电调、电动工具和家用电器中的直流电机H桥驱动，能够承受频繁的启停和反向电流冲击。在负载开关和热插拔电源管理中，D2186-30可用于控制电源通断，提供过流保护和软启动功能，防止浪涌电流损坏后级电路。
　　在便携式设备如移动电源、平板电脑和智能音箱中，D2186-30用于电池充放电管理、电源路径切换等场景，凭借其低静态功耗和高效率，有助于延长设备待机时间。工业控制领域的PLC模块、传感器供电单元以及LED驱动电源也常采用该器件，以实现稳定可靠的功率控制。

TPS2186-30,TCE2186-30,SI2186-30