FPA6102MLX 时间：2025/8/24 23:33:34 阅读：10

FPA6102MLX是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）推出的高性能双N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等领域。该器件采用先进的工艺制造，具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和高电流承载能力，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。FPA6102MLX采用TDFN（Thin Dual Flat No-lead）封装，适用于紧凑型高密度PCB设计。

参数

类型：MOSFET（双N沟道增强型）
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：8.3A（@Vgs=10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：16mΩ（@Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TDFN
　　功率耗散（Pd）：3.1W

特性

FPA6102MLX具备多项优异特性，适用于多种高性能电源应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率，特别是在高电流工作条件下表现尤为突出。此外，该器件支持高达30V的漏源电压，使其适用于多种中低压电源系统，如电池供电设备、DC-DC转换器和同步整流电路等。
　　其次，FPA6102MLX采用了高密度TDFN封装，具有良好的热性能和空间利用率，适用于对尺寸要求较高的便携式电子设备和嵌入式系统。其封装设计还支持双面散热，有助于提高器件在高负载条件下的稳定性和可靠性。