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FP75R12KE3 发布时间 时间:2025/6/22 2:07:47 查看 阅读:4

FP75R12KE3是Fairchild(现为ON Semiconductor)生产的一款MOSFET功率晶体管,采用TOLL封装。该器件属于超结MOSFET技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。

参数

最大漏源电压:750V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻:0.086Ω
  栅极电荷:46nC
  开关频率:高达500kHz
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

FP75R12KE3是一款高性能的功率MOSFET,其主要特性包括:
  1. 超结技术带来极低的导通电阻,减少功率损耗。
  2. 高额定电压(750V),使其适用于高压应用场景。
  3. 极低的栅极电荷和输出电荷,有助于实现快速开关性能。
  4. 优化的热性能,能够承受较高的结温。
  5. 符合RoHS标准,环保且可靠性高。
  6. 封装形式为TOLL,支持高效的表面贴装工艺。

应用

FP75R12KE3广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
  2. DC-DC转换器中的高频开关元件。
  3. 工业电机控制和驱动电路。
  4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
  5. LED驱动器中的功率开关。
  6. 电池管理系统中的充放电控制开关。

替代型号

FDP16N75E, IRFPG50, STW93N75DM2

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FP75R12KE3参数

  • 制造商Infineon
  • 产品种类IGBT 模块
  • 产品IGBT Silicon Modules
  • 配置Hex
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO1200 V
  • 集电极—射极饱和电压2.15 V
  • 在25 C的连续集电极电流105 A
  • 栅极—射极漏泄电流400 nA
  • 功率耗散350 W
  • 最大工作温度+ 125 C
  • 封装 / 箱体EconoPIM3
  • 栅极/发射极最大电压+/- 20 V
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格Screw
  • 工厂包装数量500