时间：2025/5/8 14:55:57
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FP6121-FS6PTR是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率、高频功率开关器件，专为需要高功率密度和低损耗的应用设计。该器件采用增强型GaN FET技术，具有极低的导通电阻和快速开关特性，适用于各种电源转换应用，如DC-DC转换器、AC-DC适配器、无线充电器等。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：3.7A
导通电阻：50mΩ
栅极电荷：4nC
反向恢复时间：无（由于是GaN器件）
工作结温范围：-55℃至+150℃
FP6121-FS6PTR采用先进的GaN技术，与传统的硅MOSFET相比，其开关速度更快，效率更高，能够显著减少开关损耗。
此外，它还具有更高的功率密度，能够在更小的空间内提供更高的输出功率，非常适合紧凑型设计需求。
GaN材料的使用使得器件在高温下的性能更加稳定，同时减少了热管理系统的复杂性。
由于没有反向恢复电荷，该器件在高频应用中表现出色，适合硬开关和软开关拓扑结构。
封装形式为表面贴装（SMD），便于自动化生产和焊接。
FP6121-FS6PTR广泛应用于消费电子领域中的高效能电源解决方案，包括但不限于：
1. 快速充电器
2. 笔记本电脑适配器
3. 电动工具驱动电路
4. 数据中心电源模块
5. LED驱动器
6. 无线电力传输设备
其高效的功率转换能力使其成为对能效要求较高的应用的理想选择。
FP6121-GA, FPS6121-FS6
