FP50N06是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件由Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)设计制造,具有低导通电阻、高耐压能力和优良的热性能,适合用于DC-DC转换器、电机控制、电源开关和负载管理等应用。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):60V
最大漏极电流(ID):50A(在25°C)
导通电阻(RDS(on)):最大0.022Ω(典型值0.018Ω)
栅极阈值电压(VGS(th)):2V至4V
最大功耗(PD):160W
工作温度范围:-55°C至175°C
封装类型:TO-220AB、D2PAK
FP50N06的主要特性之一是其极低的导通电阻(RDS(on)),这有助于降低导通损耗,提高系统效率。其最大RDS(on)为0.022Ω,在高电流应用中能够显著减少功率损耗和发热。
此外,该MOSFET具备较高的电流承载能力,额定漏极电流为50A,在散热良好的条件下可支持高功率负载。其封装形式(如TO-220AB或D2PAK)提供了良好的热管理和机械稳定性,适用于工业环境下的长时间运行。
FP50N06的栅极驱动电压范围宽,通常可在4.5V至10V之间工作,适用于常见的驱动电路设计。其栅极电荷(Qg)较低,有助于提高开关速度并降低开关损耗。
该器件的热阻(RθJC)约为1.0°C/W,表明其具有良好的散热性能,能够在高温环境下保持稳定工作。
同时,FP50N06具备较高的雪崩能量耐受能力,能够在瞬态过电压情况下提供一定的保护能力,适用于对可靠性要求较高的应用。
FP50N06常用于各种功率电子系统中,包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统、电源开关电路以及工业自动化控制设备。其低导通电阻和高电流能力使其在高效能、高功率密度设计中尤为受欢迎。
在DC-DC转换器中,FP50N06可用于高侧或低侧开关,提供高效的能量转换。在电机控制中,它可作为H桥结构中的开关器件,实现电机的正反转和调速控制。
此外,该MOSFET还可用于负载开关、热插拔电路和电源管理系统,为设备提供快速、可靠的开关控制。
由于其良好的热性能和耐用性,FP50N06也适用于汽车电子系统,如车载充电器、电动工具和电池管理系统。
IRF540N、FDP50N06、SiHH50N06、STP55NF06、NTP50N06