FP31N101J102PXG 是一款高性能的 N 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力等特性。FP31N101J102PXG 的设计使其在各种工业和消费类电子产品中表现出色,例如开关电源、电机驱动器和 LED 驱动电路。
这款 MOSFET 的封装形式为行业标准 TO-252 (DPAK),能够提供良好的散热性能,同时易于安装在印刷电路板上。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:6.7A
导通电阻:9mΩ
栅极电荷:4.5nC
总电容:280pF
功耗:25W
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
FP31N101J102PXG 具有以下主要特性:
1. 低导通电阻:使得器件在高电流应用中效率更高,并减少热损耗。
2. 快速开关速度:较低的栅极电荷和输入电容确保了更快的开关时间,从而提高了系统的整体效率。
3. 高雪崩击穿能力:增强了器件在异常情况下的鲁棒性,能够承受瞬态过压事件。
4. 热稳定性:即使在高温环境下也能保持稳定的电气性能。
5. 小型化封装:TO-252 封装不仅节省空间,还提供了优异的散热性能。
6. 可靠性高:符合国际质量和可靠性标准,适合长时间运行的应用场景。
FP31N101J102PXG 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流器。
2. 电机驱动:控制小型直流电机或步进电机的启停与调速。
3. LED 驱动:为大功率 LED 提供高效驱动方案。
4. 电池管理:保护锂离子或其他化学电池免受过充或过放影响。
5. 逆变器:将直流电转化为交流电以驱动家用电器或工业设备。
6. 工业自动化:用于各类控制系统中的信号放大与负载切换功能。
FP31N101J102PXH, IRF540N, FQP18N10