FP21N102J500PXG 是一款高性能的 N 沃特 (N-Channel) 功率 MOSFET 芯片,由知名半导体厂商制造。该芯片主要用于功率转换和电源管理领域,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
其封装形式为 PXG,适用于需要高效率和低损耗的应用场景。FP21N102J500PXG 的额定电压为 100V,能够承受较高的漏源极电压,同时具备良好的电流处理能力。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:50A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:75nC
开关时间:ton=30ns, toff=25ns
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
FP21N102J500PXG 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),在典型条件下仅为 1.5mΩ,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流能力,能够支持高达 50A 的连续漏极电流,满足大功率应用需求。
3. 快速开关特性,具有较低的栅极电荷和快速的开关时间,适合高频应用。
4. 强大的热性能设计,确保器件在极端环境下的稳定运行。
5. 宽广的工作温度范围,从 -55°C 到 +175°C,适应各种恶劣工况。
6. 封装形式为 PXG,提供优越的散热性能和电气连接可靠性。
FP21N102J500PXG 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS),如 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 工业逆变器和 UPS 系统。
4. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电力电子模块。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
6. 高效功率管理模块,例如负载开关和电池保护电路。
FP22N100K400PXG, IRFZ44N, FDP55N10