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FP100R12KT4 发布时间 时间:2025/5/10 14:41:39 查看 阅读:2

FP100R12KT4 是一款由 Fairchild(现为 ON Semiconductor)生产的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)。该器件适用于高电压和大电流应用场合,具有低导通压降和快速开关速度的特点。其设计适合工业、电机驱动、逆变器和开关电源等领域的应用。
  FP100R12KT4 的封装形式为 TO-247,带有开尔文发射极引脚,能够有效降低开关损耗并提高性能。

参数

集电极-发射极击穿电压:1200V
  连续集电极电流:100A
  总功耗:360W
  最大工作结温:150℃
  栅极-发射极阈值电压:8.5V~15V
  导通压降:2.0V(典型值,@Ic=50A,Tj=25℃)
  开关时间:ton=0.2μs,toff=0.25μs

特性

FP100R12KT4 具有以下显著特性:
  1. 高阻断电压能力,额定电压达 1200V,适用于高压环境。
  2. 大电流处理能力,可支持高达 100A 的连续集电极电流。
  3. 内置开尔文发射极引脚设计,可以减少寄生电感对高频开关的影响。
  4. 快速开关速度,有助于降低开关损耗,提升效率。
  5. 良好的热稳定性,能够在高达 150℃ 的结温下正常运行。
  6. 稳定的电气性能和可靠性,适用于多种严苛的应用场景。

应用

FP100R12KT4 主要应用于以下领域:
  1. 工业设备中的功率转换器和逆变器。
  2. 电动汽车和混合动力汽车中的牵引逆变器。
  3. 风力发电系统中的变流器。
  4. 不间断电源(UPS)和太阳能逆变器。
  5. 各类电机驱动和控制电路。
  6. 开关模式电源(SMPS)以及其他需要高效功率管理的场景。

替代型号

FGH100N120SMD, IRGB40C12DPBF, FZ100R12KE3

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FP100R12KT4参数

  • 制造商Infineon
  • 产品IGBT Silicon Modules
  • 配置Hex
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO1200 V
  • 在25 C的连续集电极电流100 A
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 封装 / 箱体Econo 3
  • 栅极/发射极最大电压+/- 20 V
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格Screw