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PC81411NIZ0F 发布时间 时间:2025/8/27 16:18:13 查看 阅读:9

PC81411NIZ0F是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的高性能、低噪声、低功耗的射频(RF)放大器集成电路。该器件主要面向无线通信系统中的接收路径,适用于多种高频应用。PC81411NIZ0F采用先进的硅锗(SiGe)工艺制造,具有优异的线性度和噪声性能,使其成为基站、无线基础设施、微波通信等高端应用的理想选择。该器件通常采用16引脚QFN封装,具备良好的热管理和高频性能。

参数

工作频率:200 MHz - 4000 MHz
  供电电压:3.0 V 至 5.5 V
  工作电流:典型值为 40 mA
  噪声系数:0.85 dB(典型值)
  增益:15.5 dB(典型值)
  OIP3:+35 dBm(典型值)
  输入/输出阻抗:50 Ω
  封装类型:16引脚 QFN(3 mm x 3 mm)
  工作温度范围:-40°C 至 +105°C

特性

PC81411NIZ0F是一款具有优异性能的射频增益模块,其核心特性包括低噪声系数和高线性度,非常适合用于前端接收系统中。该器件的频率覆盖范围广泛,从200 MHz到4 GHz,能够支持多种无线通信标准,如GSM、WCDMA、LTE、WiMAX和5G预部署系统。其高增益(15.5 dB)特性可以显著提升接收信号的强度,同时保持极低的噪声系数(0.85 dB),确保接收系统的整体灵敏度。此外,该器件具有较高的三阶交调截点(OIP3为+35 dBm),表现出色的线性性能,适用于高动态范围的信号处理环境。PC81411NIZ0F的供电范围为3.0 V至5.5 V,使其兼容多种电源管理系统,并且在典型工作条件下仅消耗约40 mA的电流,具备良好的能效表现。其封装形式为16引脚QFN(3 mm x 3 mm),具有较小的占板面积和良好的热管理能力,适合高密度PCB布局设计。该器件还内置输入和输出匹配网络,简化了外部电路设计,减少了外围元件数量,提高了系统的稳定性和可靠性。

应用

PC81411NIZ0F广泛应用于多种射频和无线通信系统中,特别是在需要高线性度和低噪声性能的接收链路中。其主要应用包括蜂窝基站(如GSM、UMTS、LTE、5G)、无线回传系统、微波通信设备、Wi-Fi接入点、雷达系统、测试和测量设备、无线传感器网络以及工业自动化和物联网(IoT)设备中的射频前端模块。由于其宽频带特性和高集成度,该器件也适用于多频段和多标准通信设备的设计,能够满足现代通信系统对高性能和小型化的需求。

替代型号

HMC414, MAX2640, ADRF5545A

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