存储类型：FRAM（铁电存储器）
　　容量：512Kbit（56K x 8）
　　接口类型：I2C
　　电源电压：2.7V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：8引脚TSSOP
　　最大时钟频率：400kHz
　　数据保持时间：10年以上
　　写入耐久性：10^12次/位
　　封装尺寸：4.4mm x 3.0mm
　　JEDEC标准：符合

FP-2R5RE561M-L8CG 的核心优势在于其采用的铁电存储技术，这使得它在性能和可靠性方面远超传统EEPROM和Flash产品。
　　首先，该芯片具备极高的写入耐久性，达到10^12次/位，这意味着它几乎不会因为频繁的写入操作而磨损，适合需要大量数据记录和更新的应用场景。
　　其次，FRAM技术不需要像Flash那样进行预擦除操作，所有写入操作都可以直接进行，从而显著提高了数据写入速度，并降低了功耗。典型写入电流仅为150μA，非常适合电池供电设备。
　　此外，FP-2R5RE561M-L8CG 采用标准的I2C接口，兼容性强，便于与各种微控制器连接，简化了系统设计。
　　该芯片还具备优异的抗辐射性能和数据保持能力，在断电情况下数据可保持超过10年，适用于需要高可靠性的工业和车载环境。
　　最后，其工作温度范围覆盖-40°C至+85°C，能够满足大多数工业级应用的需求。

FP-2R5RE561M-L8CG 主要适用于对数据存储可靠性、写入速度和功耗有较高要求的各类电子系统。
　　典型应用包括工业自动化设备中的实时数据记录、传感器数据存储、设备状态日志保存等场景。
　　在医疗设备中，可用于存储患者数据、设备校准参数和运行记录，确保数据在断电后不丢失。
　　智能仪表和远程抄表系统中，FP-2R5RE561M-L8CG 可用于频繁记录和更新测量数据，同时保持低功耗运行。
　　此外，该芯片也适用于物联网终端设备，如环境监测节点、智能穿戴设备和远程控制单元，支持长时间数据采集和存储需求。
　　由于其优异的抗辐射和数据保持能力，该芯片也广泛用于汽车电子系统、安防设备和嵌入式控制系统中。

FM24V05-GTR、MB85RS256A、CY15B104Q-SX