FNK10N25B 时间：2025/6/25 21:18:36 阅读：7

FNK10N25B 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动和 DC-DC 转换器等电路中。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适合需要高效能和高可靠性的应用环境。
　　FNK10N25B 的额定电压为 250V，连续漏极电流高达 10A，能够满足多种高压和大电流场景的需求。其封装形式通常为 TO-220 或类似形式，便于散热处理。

参数

最大漏源电压：250V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：10A
　　脉冲漏极电流：35A
　　导通电阻：0.18Ω
　　总功耗：160W
　　工作结温范围：-55℃ 至 +150℃

特性

FNK10N25B 具有以下显著特性：
　　1. 高耐压能力：其 250V 的漏源电压使其适用于广泛的高压应用场景。
　　2. 低导通电阻：在典型条件下，导通电阻仅为 0.18Ω，降低了传导损耗，提升了效率。
　　3. 快速开关性能：具备低输入电容和栅极电荷，可实现高频开关操作。
　　4. 热稳定性强：通过优化的封装设计，器件能够在较高温度范围内稳定工作。
　　5. 高可靠性：符合工业级标准，能够在恶劣环境下保持长期可靠性。

应用

FNK10N25B 主要用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：作为主开关或同步整流元件，提供高效的能量转换。
　　2. 逆变器：用于光伏逆变器或其他类型的电力转换设备。
　　3. 电机驱动：适用于直流无刷电机（BLDC）或其他类型电机的驱动电路。
　　4. DC-DC 转换器：用作降压或升压转换器中的关键开关元件。
　　5. 过流保护和负载切换：利用其快速响应能力实现过载保护或负载切换功能。