时间：2025/5/10 10:46:07
阅读：8
FNB80560T3 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，专为高效率开关应用设计。它采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种功率转换和电机驱动场景。
该器件在高频工作条件下表现出色，能够显著降低功耗并提高系统整体效率。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：56A
导通电阻：2.2mΩ
栅极电荷：79nC
开关时间：典型开启时间 12ns，典型关闭时间 14ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
FNB80560T3 的主要特性包括低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少传导损耗，特别是在大电流应用场景中。此外，其快速的开关速度减少了开关损耗，提升了整体能效。
器件还具备良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠运行。同时，其坚固的设计使其适合恶劣环境下的应用，如工业控制、汽车电子以及通信电源等。
FNB80560T3 提供了出色的 ESD 防护能力，并且具有较高的雪崩耐量，进一步增强了器件的鲁棒性和使用寿命。
这款 MOSFET 广泛应用于 DC-DC 转换器、同步整流电路、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器、电机驱动器以及各类高效功率转换模块。
由于其卓越的性能和可靠性，FNB80560T3 成为许多需要高功率密度和低功耗解决方案的设计的理想选择。
FCH063N60F
IRF6642
STP55NF06L
