时间：2025/6/26 16:27:44
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FN31X684K500EPG 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用领域。该芯片采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，从而有效降低了功率损耗并提升了系统的整体效率。
这款器件为 N 沟道增强型 MOSFET，能够承受较高的电压，并在高频工作条件下保持优异的性能表现。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：12A
导通电阻：0.07Ω
栅极电荷：35nC
输入电容：1200pF
总电荷：75nC
开关时间：ton=45ns, toff=35ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
FN31X684K500EPG 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力：其额定漏源电压高达 500V，适合高压应用场景。
2. 低导通电阻：仅 0.07Ω 的 Rds(on) 显著减少了导通状态下的功耗。
3. 快速开关性能：低栅极电荷与快速开关时间（开启 45ns，关闭 35ns）使其非常适合高频应用。
4. 高可靠性：经过严格的测试流程，确保在极端温度条件下的稳定性。
5. 热性能优化：封装设计优化散热路径，提高了长期运行的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准：环保且满足国际法规要求。
FN31X684K500EPG 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：
- 用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中的主开关元件。
2. 电机驱动：
- 控制无刷直流电机 (BLDC) 或其他类型电机的运行状态。
3. 工业设备：
- 在工业自动化系统中作为功率控制单元。
4. 新能源领域：
- 太阳能逆变器、电动汽车充电桩等高功率转换场景。
5. LED 驱动器：
- 实现高效稳定的恒流输出以驱动大功率 LED 灯具。
IRF540N, FQP16N50C, STP12NM50E
