您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > H5TQ1G63DFR-S5C

H5TQ1G63DFR-S5C 发布时间 时间:2025/9/2 6:33:55 查看 阅读:3

H5TQ1G63DFR-S5C 是由SK Hynix(海力士)公司生产的一种DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款DRAM芯片属于移动设备内存(Mobile RAM)类别,专门设计用于低功耗应用场景,如智能手机、平板电脑、便携式游戏设备等。H5TQ1G63DFR-S5C 的容量为1Gb(Gigabit),采用LPDDR3(低功耗双倍数据速率第3代)技术,支持高速数据传输,同时具备较低的功耗特性,非常适合用于电池供电的移动设备。

参数

容量:1Gb
  类型:LPDDR3 SDRAM
  封装:BGA(球栅阵列封装)
  电压:1.2V - 1.8V(根据工作模式不同)
  数据速率:1600Mbps
  接口类型:x16
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  时钟频率:800MHz
  封装尺寸:90-ball FBGA
  组织结构:1 bank x 16

特性

H5TQ1G63DFR-S5C 的关键特性之一是其低功耗设计,适用于对电池寿命要求较高的设备。该芯片支持多种低功耗模式,包括深度掉电模式、自刷新模式和预充电掉电模式,可以在设备处于待机或休眠状态时显著降低功耗。此外,H5TQ1G63DFR-S5C 采用了x16的组织结构,提供了较高的数据吞吐能力,适合处理图形、视频和复杂应用程序所需的数据流。该芯片的封装形式为90-ball FBGA,体积小巧,适合空间受限的便携设备设计。其工作温度范围较宽,可在-40°C至+85°C之间稳定运行,适应各种严苛环境条件。此外,该DRAM芯片还支持双倍数据速率(DDR)技术,在时钟信号的上升沿和下降沿均可传输数据,从而提高了整体的数据传输效率。

应用

H5TQ1G63DFR-S5C 主要应用于需要高性能与低功耗结合的移动电子设备。典型应用包括智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器、智能穿戴设备以及嵌入式系统。由于其支持多种低功耗模式,该芯片也非常适合用于需要长时间电池续航的物联网(IoT)设备和移动计算平台。此外,该DRAM芯片还可用于工业级嵌入式系统和手持式测量设备,确保在不同环境条件下稳定运行。

替代型号

H5TQ1G63AMR-S5C, H5TQ1G63EFR-S5C, H5TQ1G63EMR-S5C

H5TQ1G63DFR-S5C推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价