H5TQ1G63DFR-S5C 时间：2025/9/2 6:33:55 阅读：21

H5TQ1G63DFR-S5C 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一种DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款DRAM芯片属于移动设备内存（Mobile RAM）类别，专门设计用于低功耗应用场景，如智能手机、平板电脑、便携式游戏设备等。H5TQ1G63DFR-S5C 的容量为1Gb（Gigabit），采用LPDDR3（低功耗双倍数据速率第3代）技术，支持高速数据传输，同时具备较低的功耗特性，非常适合用于电池供电的移动设备。

参数

容量：1Gb
　　类型：LPDDR3 SDRAM
　　封装：BGA（球栅阵列封装）
　　电压：1.2V - 1.8V（根据工作模式不同）
　　数据速率：1600Mbps
　　接口类型：x16
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　时钟频率：800MHz
　　封装尺寸：90-ball FBGA
　　组织结构：1 bank x 16

特性

H5TQ1G63DFR-S5C 的关键特性之一是其低功耗设计，适用于对电池寿命要求较高的设备。该芯片支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式、自刷新模式和预充电掉电模式，可以在设备处于待机或休眠状态时显著降低功耗。此外，H5TQ1G63DFR-S5C 采用了x16的组织结构，提供了较高的数据吞吐能力，适合处理图形、视频和复杂应用程序所需的数据流。该芯片的封装形式为90-ball FBGA，体积小巧，适合空间受限的便携设备设计。其工作温度范围较宽，可在-40°C至+85°C之间稳定运行，适应各种严苛环境条件。此外，该DRAM芯片还支持双倍数据速率（DDR）技术，在时钟信号的上升沿和下降沿均可传输数据，从而提高了整体的数据传输效率。

应用

H5TQ1G63DFR-S5C 主要应用于需要高性能与低功耗结合的移动电子设备。典型应用包括智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器、智能穿戴设备以及嵌入式系统。由于其支持多种低功耗模式，该芯片也非常适合用于需要长时间电池续航的物联网（IoT）设备和移动计算平台。此外，该DRAM芯片还可用于工业级嵌入式系统和手持式测量设备，确保在不同环境条件下稳定运行。