时间：2025/12/24 9:12:59
阅读：30
FN31X472K500PXG是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他功率转换电路中。该型号由富士电机（Fuji Electric）生产，采用先进的沟槽式结构设计，具有低导通电阻和高开关速度的特点。
FN31X472K500PXG属于N沟道增强型MOSFET，适用于高频和高效率的功率应用场合。其封装形式为PXA-G，具备良好的散热性能和电气隔离能力。
额定电压：1200V
额定电流：500A
导通电阻：4.7mΩ（典型值，25℃时）
栅极电荷：160nC（最大值）
输入电容：3500pF
反向恢复时间：15ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：PXA-G
1. 高额定电压和大电流能力使得FN31X472K500PXG适合于高压大功率应用场景。
2. 极低的导通电阻降低了导通损耗，提高了整体效率。
3. 快速的开关速度减少了开关损耗，从而提升了系统的能量转换效率。
4. 优异的热稳定性和可靠性保证了长时间运行的安全性。
5. PXA-G封装提供了高效的散热路径以及良好的电气隔离性能，适合工业和汽车级应用。
6. 内置ESD保护功能增强了芯片的抗静电能力。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电动汽车和混合动力汽车中的电机驱动和逆变器模块。
3. 工业设备中的变频器和伺服驱动器。
4. 太阳能逆变器和风力发电系统中的功率转换电路。
5. 高压DC-DC转换器和其他电力电子设备。
目前市场上可以作为替代的型号包括但不限于以下几种：
1. Infineon的IKW50E120M2H，该型号具有相似的电压和电流参数，并且也采用了沟槽式结构。
2. STMicroelectronics的STP50NK120Z，这是一款N沟道MOSFET，具有类似的额定电压和电流能力。
3. Toshiba的TK2512PMX，这款MOSFET在某些参数上与FN31X472K500PXG接近，但具体选择需根据实际应用需求进行验证。
请注意，使用替代型号时需要仔细核对所有关键参数以确保兼容性。
