时间：2025/6/19 10:52:36
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FN31X152K500PXG 是一款高性能的 N 沆道开关 MOSFET，适用于多种电源管理应用。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
这款 MOSFET 主要用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池保护电路以及电机驱动等场景。其封装形式为 PXG，适合高密度设计需求。
型号：FN31X152K500PXG
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 (VDS)：500 V
最大栅源电压 (VGS)：±20 V
持续漏极电流 (ID)：15 A
导通电阻 (RDS(on))：0.15 Ω（典型值，在 VGS=10V 时）
输入电容 (Ciss)：1500 pF
总栅极电荷 (Qg)：60 nC
开关速度：快速开关
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
FN31X152K500PXG 具有以下显著特点：
1. 高耐压能力：500V 的最大漏源电压使其能够在高压环境中稳定运行。
2. 低导通电阻：0.15Ω 的导通电阻有助于降低导通损耗，从而提升整体效率。
3. 快速开关性能：由于其较低的总栅极电荷 (Qg)，该器件能够实现快速开关，非常适合高频应用。
4. 宽工作温度范围：从 -55°C 到 +175°C 的工作温度区间确保了其在极端条件下的可靠性。
5. 小型化封装：PXG 封装设计节省空间，适合高密度 PCB 布局。
6. 高可靠性：通过多项质量测试认证，适用于工业级和汽车级应用。
FN31X152K500PXG 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 电池保护和管理系统 (BMS)。
4. 工业自动化设备中的负载开关。
5. 汽车电子系统中的电源管理模块。
6. 可再生能源设备中的逆变器和转换器组件。
IRFP250N, STP50NK06Z, FDP18N50
