时间：2025/6/25 23:44:10
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FN31N273J500EPG是一款高性能的MOSFET功率晶体管，由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor）制造。该器件采用TO-263-3封装形式，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器和其他需要高效功率切换的应用场景中。
该型号的主要特点是低导通电阻和高电流处理能力，能够显著降低功率损耗并提高系统效率。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：270V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：31A
脉冲漏极电流：108A
导通电阻(Rds(on))：0.048Ω（在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：180W
结温范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-263-3
FN31N273J500EPG具有以下关键特性：
1. 低导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通状态下的功率损耗。
2. 高电流承载能力（Id=31A），适合大功率应用。
3. 高耐压性能（Vds=270V），可应对高电压环境下的工作需求。
4. 快速开关速度，降低了开关损耗。
5. 支持较宽的工作温度范围（-55℃至175℃），适用于各种恶劣环境条件。
6. TO-263-3封装提供良好的散热性能和易于安装的便利性。
这款MOSFET晶体管主要应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)设计中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器中的高频开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
4. 各种工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 汽车电子系统中的负载开关或保护元件。
6. 其他需要高效功率切换的场合。
IRFZ44N
FQP30N06L
STP36NF06L
