G30EOA3R 时间：2025/8/17 13:37:20 阅读：23

G30EOA3R是一款由Toshiba（东芝）公司生产的光耦合器（光电耦合器），广泛应用于工业自动化设备、变频器、伺服驱动器等高可靠性电子系统中。该器件通过将输入侧的发光二极管（LED）与输出侧的光敏三极管集成在一个封装中，实现输入与输出之间的电气隔离，从而保护后级电路免受高压或高电压瞬态干扰的影响。G30EOA3R具备高隔离电压、低电流驱动能力和稳定的性能，适用于需要高可靠性和高抗干扰能力的工业控制和电力电子设备中。

参数

类型：光电晶体管输出光耦合器
　　最大正向电流（IF）：50 mA
　　最大反向电压（VR）：5 V
　　集电极-发射极电压（VCE）：30 V
　　集电极电流（IC）：150 mA
　　隔离电压（Viso）：5000 Vrms
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装类型：DIP-4（双列直插式封装）
　　最小电流传输比（CTR）：20%（典型值50%）

特性

G30EOA3R具有出色的电气隔离性能，其隔离电压高达5000 Vrms，能够有效防止高压电路对低压控制电路的干扰和损坏，适用于对安全性和可靠性要求较高的工业环境。该器件采用高耐压封装材料和优化的内部结构设计，确保在恶劣环境中依然能够稳定运行。
　　在性能方面，G30EOA3R具有较低的正向导通电流（IF最大为50 mA），能够在较低的功耗下实现高效的信号传输。其光敏三极管输出端的最大集电极电流可达150 mA，足以驱动多种类型的负载或接口电路，同时具备较强的抗过载能力。
　　该光耦合器的工作温度范围宽达-55°C至+125°C，适应多种极端温度环境，适合用于工业自动化、电力电子设备、变频器、电机驱动器等高温或低温应用场合。其封装形式为DIP-4，便于插装和焊接，广泛应用于PCB电路板设计中。
　　此外，G30EOA3R具备较高的抗电磁干扰能力（EMI），在高频开关应用中表现出良好的稳定性和抗噪性能，确保信号传输的准确性和可靠性。其电流传输比（CTR）最低为20%，典型值可达50%，在不同输入电流条件下保持良好的线性度，适用于模拟和数字信号的隔离传输。

应用

G30EOA3R主要应用于工业自动化控制系统的信号隔离、变频器与伺服驱动器中的反馈信号传输、电力电子设备中的过流与过压保护电路、PLC（可编程逻辑控制器）与外部设备之间的电气隔离接口等场景。此外，该器件也常用于通信设备、医疗电子设备、测试仪器以及各种需要电气隔离的控制系统中，以提高系统的安全性和稳定性。