时间：2025/5/24 19:26:05
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FN31N122J500PXG是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，适用于高频、高效能开关应用。该型号采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合于电源管理、电机驱动及各种功率转换场景。其封装形式为PQFN5*6-32L，能够在紧凑的空间内提供卓越的电气性能。
FN31N122J500PXG的设计目标是满足现代电子设备对高效率和小尺寸的需求，同时保证良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：31A
导通电阻：4.8mΩ
栅极电荷：79nC
开关频率：高达1MHz
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：PQFN5*6-32L
1. 极低的导通电阻，能够显著降低功率损耗，提升系统效率。
2. 高速开关能力，支持高频应用场合，如DC-DC转换器和逆变器。
3. 良好的热性能设计，确保在高负载条件下依然保持稳定运行。
4. 优秀的短路耐受能力，增强系统的鲁棒性。
5. 小型化封装，便于在空间受限的应用中使用。
1. 开关电源(SMPS)中的功率级开关。
2. 电机驱动电路中的功率控制元件。
3. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
4. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
5. 各种工业自动化设备中的功率转换模块。
IRF3710,
FDP15U12AE,
STP31NF12,
IXYS44N120T2
