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GA0603H222KXBAC31G 发布时间 时间:2025/4/2 9:51:12 查看 阅读:5

GA0603H222KXBAC31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,适用于高频开关应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统效率并降低功耗。其设计优化了热性能,使其能够在高电流负载条件下保持稳定运行。
  该芯片通常用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效能量转换的场景。

参数

型号:GA0603H222KXBAC31G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压VDS:60V
  最大栅源电压VGS:±20V
  连续漏极电流ID:30A
  导通电阻RDS(on):2.2mΩ
  总栅极电荷Qg:45nC
  输入电容Ciss:1890pF
  输出电容Coss:105pF
  反向恢复时间trr:75ns
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

1. 极低的导通电阻(2.2mΩ),可有效减少传导损耗。
  2. 快速开关速度,适合高频应用。
  3. 高电流承载能力(高达30A),满足大功率需求。
  4. 宽工作温度范围(-55℃至+175℃),适应各种严苛环境。
  5. 内置ESD保护功能,提高器件可靠性。
  6. 小型封装设计,节省PCB空间。
  这些特性使该芯片成为高效率、高密度电源解决方案的理想选择。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动
  4. 工业自动化设备
  5. 汽车电子系统
  6. 通信电源
  7. 太阳能逆变器
  由于其高效的能量转换能力和出色的热性能,该芯片特别适合于需要高功率密度和高可靠性的应用场景。

替代型号

GA0603H222KXBAC32G, IRF3205, FDP5500

GA0603H222KXBAC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2200 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-