GA0603H222KXBAC31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,适用于高频开关应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统效率并降低功耗。其设计优化了热性能,使其能够在高电流负载条件下保持稳定运行。
该芯片通常用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效能量转换的场景。
型号:GA0603H222KXBAC31G
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压VDS:60V
最大栅源电压VGS:±20V
连续漏极电流ID:30A
导通电阻RDS(on):2.2mΩ
总栅极电荷Qg:45nC
输入电容Ciss:1890pF
输出电容Coss:105pF
反向恢复时间trr:75ns
工作温度范围:-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻(2.2mΩ),可有效减少传导损耗。
2. 快速开关速度,适合高频应用。
3. 高电流承载能力(高达30A),满足大功率需求。
4. 宽工作温度范围(-55℃至+175℃),适应各种严苛环境。
5. 内置ESD保护功能,提高器件可靠性。
6. 小型封装设计,节省PCB空间。
这些特性使该芯片成为高效率、高密度电源解决方案的理想选择。
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动
4. 工业自动化设备
5. 汽车电子系统
6. 通信电源
7. 太阳能逆变器
由于其高效的能量转换能力和出色的热性能,该芯片特别适合于需要高功率密度和高可靠性的应用场景。
GA0603H222KXBAC32G, IRF3205, FDP5500