时间：2025/6/25 23:43:22
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FN21X563K500PXG 是一款高性能的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率控制的应用场景。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
FN21X563K500PXG 的封装形式为 PXG，适合表面贴装技术 (SMT)，有助于简化生产和优化 PCB 布局。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：45A
导通电阻：0.045Ω
栅极电荷：50nC
开关时间：开启时间 75ns，关断时间 85ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
1. 高耐压能力：额定漏源电压高达 500V，适用于高压环境下的应用。
2. 低导通电阻：仅为 0.045Ω，显著降低了导通损耗，提升了整体效率。
3. 快速开关性能：具有较低的栅极电荷和快速的开关时间，能够支持高频开关应用。
4. 高可靠性：经过严格的质量测试，确保在恶劣环境下也能稳定运行。
5. 小型化设计：采用 PXG 封设计需求。
1. 开关电源 (SMPS)：
FN21X563K500PXG 可用作主开关管，在 AC-DC 或 DC-DC 转换中实现高效的功率转换。
2. 电机驱动：
适用于各种类型的电机驱动电路，包括无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机驱动。
3. 工业自动化设备：
可用于工业控制中的功率调节和保护电路。
4. 新能源领域：
例如太阳能逆变器和电动汽车充电系统等对高效率和高可靠性的功率器件有需求的场合。
IRFP460, FQP18N50, STP12NM50
