时间：2025/5/29 13:56:16
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FN21X561K500PXG 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高耐压的特点，能够有效提升系统的效率和可靠性。
此芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET，通过栅极电压控制漏极与源极之间的电流流动，适用于高频开关应用。其封装形式为 PXG，具有良好的散热性能和电气连接能力。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：30A
导通电阻：0.05Ω
栅极电荷：50nC
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：PXG
FN21X561K500PXG 的主要特性包括：
1. 高击穿电压：支持高达 500V 的漏源电压，适用于高压环境下的电路设计。
2. 低导通电阻：典型值为 0.05Ω，可显著降低导通损耗，提升系统效率。
3. 快速开关速度：低栅极电荷（50nC）使其具备快速的开关能力，适合高频应用场景。
4. 优秀的热性能：采用 PXG 封装，确保高效的散热表现。
5. 宽工作温度范围：从 -55℃ 到 +150℃，能够在极端环境下稳定运行。
6. 高可靠性：通过严格的测试和验证流程，确保在长时间使用中的稳定性。
FN21X561K500PXG 主要应用于以下领域：
1. 开关电源：用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中，提供高效可靠的开关功能。
2. 电机驱动：支持无刷直流电机（BLDC）和其他类型电机的驱动电路。
3. 逆变器：应用于光伏逆变器和 UPS 系统中，提供稳定的功率输出。
4. 负载开关：用于保护电路免受过流和短路的影响。
5. 工业设备：如焊接机、电动工具等需要大功率控制的应用场景。
IRFP460N
FQP50N50
STP17NF50
