时间：2025/6/23 19:33:40
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FN21X223K500PXG 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高效率、高频开关应用设计。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，能够显著降低功耗并提高系统性能。其广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等领域。
该器件支持高电压操作，并具有出色的热稳定性和可靠性，适合在严苛环境下使用。
型号：FN21X223K500PXG
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
总功耗(Ptot)：300W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247
FN21X223K500PXG 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提升整体效率。
2. 快速开关速度，可实现高频运行，适用于现代高效的电力电子应用。
3. 高耐压能力，能够在高达650V的条件下稳定运行。
4. 内置过温保护功能，增强设备的安全性与稳定性。
5. 优化的热设计，改善了散热性能，从而提高了长期使用的可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
这款功率MOSFET适用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
2. 电机驱动器中作为功率级控制元件。
3. DC-DC转换器中的同步整流或高频开关元件。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
5. 工业自动化设备中的大功率负载切换。
6. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的动力总成系统及充电装置。
FND21X223K500PXG, IRFP260N, STP50NF06L
