时间：2025/7/1 8:27:25
阅读：8
FN21N9R0D500PAG 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和快速开关特性，适用于多种高效率功率转换应用。FN21N9R0D500PAG 的额定电压为 900V，使其非常适合高压环境下的电路设计。
FN21N9R0D500PAG 的封装形式为 PAKG，这种封装有助于提升散热性能和电气连接可靠性，同时支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。
最大漏源电压：900V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：21A
导通电阻（典型值）：45mΩ
总功耗：165W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
存储温度范围：-65℃ 至 +150℃
1. 高耐压能力，最高可承受 900V 的漏源电压，适用于高压应用场合。
2. 低导通电阻设计，能够有效降低功率损耗，提高系统效率。
3. 快速开关速度，减小开关损耗，特别适合高频功率变换器。
4. 强大的电流承载能力，最大支持 21A 的连续漏极电流。
5. 宽工作温度范围，能够在极端环境下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电动工具、电机驱动和逆变器的功率级元件。
3. 工业设备中的 DC/DC 转换器和 AC/DC 整流模块。
4. 太阳能逆变器和其他新能源相关设备中的关键组件。
5. LED 照明系统的恒流驱动电路。
6. 高压负载切换和保护电路中的核心器件。
FND21N90K5P, IRFP250N, STP21NF90K5
