时间：2025/7/10 20:16:01
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FN21N8R2C500PAG 是一款高性能的功率 MOSFET，采用 N 沟道增强型结构。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种电源管理和功率转换应用。其封装形式为 PAG（Power Advanced Gate），能够提供卓越的散热性能和电气特性，广泛用于工业、消费电子和汽车领域。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：8A
导通电阻（典型值）：0.21Ω
栅极电荷：35nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：PAG
FN21N8R2C500PAG 的主要特点是其高耐压能力与低导通电阻的结合，这使其在硬开关和软开关应用中都能表现出色。此外，它具备出色的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下长期运行。
该器件的栅极阈值电压经过优化设计，可实现高效的驱动控制，并且其低栅极电荷特性有助于降低开关损耗。
PAG 封装进一步增强了器件的散热性能，同时提高了安装的灵活性和机械强度。
FN21N8R2C500PAG 还具有较强的抗雪崩能力和抗静电能力（ESD），从而确保了其在复杂电磁环境中的稳定性。
该功率 MOSFET 广泛应用于各类高压大电流场景，包括但不限于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、逆变器、电机驱动、不间断电源（UPS）以及 LED 驱动电路等。此外，由于其较高的工作温度范围，也常被用于汽车电子系统和工业控制设备中。
IRF840,
FQP8N50,
STP8NK50Z
