时间：2025/12/23 9:57:20
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1206N822G500CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率晶体管，采用表面贴装封装形式。它属于增强型 GaN HEMT (高电子迁移率晶体管)，适用于高频和高功率应用领域。该器件具有极低的导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能，可显著提高系统的整体效率和功率密度。
这款晶体管广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器以及其他需要高效能和高频率切换的应用中。
封装：SMD 1206
额定电压：650V
额定电流：4A
导通电阻：82mΩ（典型值）
栅极电荷：9nC（最大值）
反向恢复时间：无（零反向恢复特性）
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
静态漏电流：1μA（最大值，25℃下）
1206N822G500CT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，能够减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，支持 MHz 级别的工作频率，适合高频应用场景。
3. 零反向恢复电荷特性，进一步降低开关损耗。
4. 良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定的性能。
5. 小尺寸 SMD 封装，有助于实现更高功率密度的设计。
6. 提供强大的 ESD 保护功能以增强可靠性。
1206N822G500CT 广泛用于以下应用：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 AC-DC 适配器。
2. DC-DC 转换器，如服务器、通信设备中的电源模块。
3. 无线充电设备和快充技术。
4. 电机驱动电路，尤其是需要高效率和高频工作的场景。
5. 太阳能逆变器及储能系统中的功率转换模块。
1206N822G500CR, 1206N822G500CA
