时间：2025/6/16 18:29:39
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FN21N821J500PXG是一款高性能的功率MOSFET器件，主要应用于需要高效率和低导通电阻的场景。该器件采用先进的制造工艺，具有出色的开关特性和热性能，广泛用于电源管理、电机驱动以及各种工业应用中。
该芯片属于N沟道增强型MOSFET，其额定电压和电流参数使其非常适合在高压环境中使用，同时保持较低的功耗。
最大漏源电压：820V
连续漏极电流：21A
导通电阻：500mΩ
栅极电荷：35nC
总电容：45pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
FN21N821J500PXG具备以下关键特性：
1. 高耐压能力，适合高压应用环境。
2. 低导通电阻设计，减少功率损耗。
3. 快速开关速度，支持高频操作。
4. 出色的热稳定性和可靠性，适应恶劣的工作条件。
5. 小尺寸封装，便于PCB布局和空间优化。
6. 符合RoHS标准，环保且安全。
这款功率MOSFET适用于多种应用场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关元件。
2. 工业电机驱动器中的功率级组件。
3. 不间断电源（UPS）系统中的逆变电路。
4. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
5. 各种高压负载切换控制场合。
6. 电动汽车充电设备中的功率调节单元。
IRFP260N
STP21NF82K5
FDP21N82
