时间：2025/6/22 12:09:29
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FN21N6R8D500PAG是一款高性能的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够有效提升系统的效率并减少能量损耗。
FN21N6R8D500PAG具备出色的热性能和电气性能，适合在高电流和高频率的应用环境中使用。其封装形式为PAG（Power Advanced Package），这种封装方式可以提供更佳的散热性能以及更高的可靠性。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：21A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：150nC
输入电容：3200pF
反向恢复时间：35ns
工作温度范围：-55℃ to +175℃
1. 极低的导通电阻，有助于降低功耗，提高系统效率。
2. 高速开关能力，适用于高频应用场合。
3. 出色的热稳定性，确保在极端环境下的可靠运行。
4. 强大的抗雪崩能力，增强了器件的耐用性和安全性。
5. 封装设计优化了散热路径，提升了整体性能。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
2. 工业电机控制及驱动电路。
3. 太阳能逆变器中的DC-AC转换部分。
4. 电动车控制器中的高压开关元件。
5. 各类高功率电子设备中的负载切换功能。
6. 其他需要高效功率管理的场景。
IRFZ44N
STP21NF50
FDP21N60
