CRST041N08N 时间：2025/7/10 21:26:45 阅读：10

CRST041N08N是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率晶体管，采用常关型设计。该器件具有极低的导通电阻和快速开关特性，非常适合高效率、高频应用场合。其封装形式通常为行业标准的表面贴装类型，便于自动化生产和系统集成。
　　该晶体管主要面向工业电源、服务器电源、通信设备及消费类快充适配器等应用场景。得益于GaN材料的优异性能，CRST041N08N能够在更高的频率下运行，同时保持较低的开关损耗和导通损耗。

参数

额定电压：80V
　　连续漏极电流：41A
　　导通电阻：4mΩ
　　栅极电荷：65nC
　　反向恢复时间：无（因GaN无体二极管）
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-247或DFN8x8

特性

CRST041N08N的核心优势在于其采用了先进的氮化镓半导体技术，具备以下特点：
　　1. 高效性：低导通电阻和栅极电荷使器件在高频开关条件下表现出色，大幅降低传导和开关损耗。
　　2. 快速开关能力：由于GaN材料本身的优势，开关速度远超传统硅基MOSFET，可实现MHz级别的工作频率。
　　3. 热性能优秀：能够承受较高的结温，并且散热表现良好。
　　4. 小型化设计：相比传统的硅基解决方案，使用CRST041N08N可以显著减小电路尺寸和重量。
　　5. 无反向恢复问题：与超结MOSFET不同，GaN FET没有体二极管，因此不存在反向恢复损耗。

应用

CRST041N08N广泛应用于需要高效能和高频工作的电力电子领域，包括但不限于：
　　1. 开关电源（SMPS）
　　2. DC-DC转换器
　　3. 电动汽车车载充电器（OBC）
　　4. 太阳能微型逆变器
　　5. 数据中心电源模块
　　6. USB PD快充适配器
　　7. 无线充电发射端
　　这些应用中，CRST041N08N通过提升功率密度和降低能量损失来优化整体系统性能。