时间：2025/6/22 5:44:28
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FN21N682J500ECG是一款由Fairchild（现为ON Semiconductor）生产的N沟道MOSFET功率晶体管。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换和电机驱动应用。其额定电压为650V，能够承受较高的漏源极电压，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
FN21N682J500ECG采用了先进的制造工艺，优化了开关性能和效率，使其非常适合于需要高效能和紧凑设计的场景。
型号：FN21N682J500ECG
类型：N-Channel MOSFET
额定电压(Vds)：650V
额定电流(Id)：13.5A
导通电阻(Rds(on))：0.5Ω
栅极电荷(Qg)：34nC
最大功耗(Ptot)：98W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220FP
FN21N682J500ECG具有以下主要特性：
1. 高耐压能力：额定电压为650V，适合高压环境中的应用。
2. 低导通电阻：在典型工作条件下，Rds(on)仅为0.5Ω，有助于降低导通损耗并提高整体效率。
3. 快速开关性能：较小的栅极电荷（Qg=34nC）使该器件具备快速的开关速度，减少开关损耗。
4. 热稳定性强：能够在高达150°C的结温下稳定运行。
5. 强大的抗雪崩能力：具备优异的抗雪崩击穿性能，增强了系统的可靠性和安全性。
6. 封装优势：采用TO-220FP封装，便于散热和安装，适用于各种功率模块。
FN21N682J500ECG广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)：包括AC-DC适配器、工业电源和消费类电子产品电源。
2. 电机控制：用于无刷直流电机(BLDC)驱动器和家用电器中的电机控制器。
3. 逆变器：光伏逆变器和其他类型的电力转换设备。
4. 电池管理系统(BMS)：在电动汽车(EV)或储能系统中作为开关元件。
5. 其他功率转换应用：如LED驱动器、电磁炉等需要高效功率管理的场合。
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