晶体管类型：NPN 双晶体管
　　集电极-发射极电压（Vceo）：100V
　　集电极-基极电压（Vcbo）：100V
　　发射极-基极电压（Vebo）：5V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110（最小）~ 800（最大，根据等级）

高性能双 NPN 晶体管集成：DMF3929-102 集成了两个 NPN 晶体管在一个封装中，允许在单个芯片上实现多个功能，如放大、开关或逻辑控制，从而减少 PCB 空间和元件数量。
　　高增益和高频率响应：每个晶体管都具有宽范围的电流增益（hFE），典型值从110到800，适合需要高放大倍数的应用。此外，其增益带宽积（fT）达到100MHz，使得该器件适用于射频和高速开关电路。
　　小型化表面贴装封装：采用 SOT-23-6 封装，体积小，重量轻，便于自动化装配和适用于高密度电路设计。
　　良好的热稳定性和可靠性：DMF3929-102 的最大工作温度可达 150°C，具有良好的热稳定性，适用于各种严苛的工作环境。同时，其最大功耗为 300mW，保证了在连续工作状态下的可靠性。
　　低饱和压降（Vce_sat）：在高电流状态下，DMF3929-102 仍能保持较低的集电极-发射极饱和电压，减少功耗并提高效率。
　　广泛的工作电压范围：集电极-发射极电压（Vceo）为100V，允许其在多种电压环境下工作，增加了器件的适用范围。

射频（RF）放大器：DMF3929-102 的高增益和高频率响应使其非常适合用于射频信号放大，特别是在低噪声放大器（LNA）设计中。
　　数字和模拟开关电路：由于其快速开关特性和低饱和压降，该器件可用于数字电路中的逻辑开关或模拟信号的切换控制。
　　逻辑电平转换：在不同电压域之间进行信号转换时，DMF3929-102 可以作为电平移位器使用，实现跨电压域的信号接口。
　　马达驱动与继电器驱动：该器件能够承受较高的电压和电流，适合用于小型电机或继电器的驱动电路。
　　电源管理和电池供电设备：DMF3929-102 的低功耗特性使其适用于电池供电设备中的电源管理电路，如DC-DC转换器、负载开关等。
　　工业自动化和控制电路：由于其高可靠性和宽温度范围，DMF3929-102 也广泛应用于工业控制、传感器信号处理和执行机构的驱动电路。

DMF3928-102, DMH2014L, DMH2014, BC847BS, BC847BYS