时间：2025/5/21 12:37:51
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FN21N681J501EIG 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沱道沟 MOSFET。该器件采用 TO-220 封装形式，具有低导通电阻和快速开关特性，适合应用于功率转换、电机驱动以及负载开关等场景。
这款 MOSFET 的最大特点是其高击穿电压和优化的导通性能，能够有效降低功耗并提高系统效率。
最大漏源极电压：650V
最大连续漏电流：4A
最大栅极阈值电压：4V
最大导通电阻（Rds(on)）：3.5Ω（在 Vgs=10V 时）
总功耗：27W
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
FN21N681J501EIG 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，具备以下特点：
1. 高击穿电压（650V），适用于高压环境下的电路设计。
2. 低导通电阻（3.5Ω），可减少导通状态下的能量损耗。
3. 快速开关能力，支持高频应用，如开关电源和 DC-DC 转换器。
4. 紧凑且坚固的 TO-220 封装，提供良好的散热性能。
5. 宽泛的工作温度范围（-55℃ 至 150℃），适应恶劣环境下的使用需求。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
该元器件特别适合需要高效率和高可靠性的电力电子应用，例如适配器、充电器、LED 驱动器及工业控制设备。
FN21N681J501EIG 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 AC-DC 转换器。
2. DC-DC 转换器和逆变器。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 电池保护和负载切换。
5. LED 照明驱动电路。
6. 工业自动化和家电中的功率管理模块。
其高击穿电压和低导通电阻使其成为上述应用的理想选择，尤其是在需要高效能和小型化解决方案的情况下。
IRF540N, FQP16N06L, BUZ11
