类型：P沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：-3A
　　最大漏源电压（Vds）：-30V
　　最大栅源电压（Vgs）：+20V/-20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为85mΩ @ Vgs = -10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TSMT6（热增强型表面贴装封装）

PJA87P03_R1_00001 MOSFET具备多项优异特性，使其在电源管理和开关应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）特性显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体系统效率。该器件的P沟道结构设计使其在高压侧开关应用中无需额外的驱动电路，简化了电路设计并降低了成本。此外，该MOSFET采用热增强型封装技术，提高了散热性能，即使在高电流负载条件下也能保持稳定运行。
　　该器件还具有宽泛的栅极电压范围（-20V至+20V），增强了其在不同电路环境中的适应能力。内置的静电放电（ESD）保护功能则提升了器件的可靠性，延长了使用寿命。此外，PJA87P03_R1_00001 的小型TSMT6封装设计非常适合在空间受限的应用中使用，例如便携式电子设备和紧凑型电源模块。

PJA87P03_R1_00001 MOSFET广泛应用于多种电源管理和开关电路中。其主要应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）中的高边开关、电源分配系统以及各类需要高效能P沟道MOSFET的嵌入式系统。由于其低导通电阻和高效率特性，它在需要节能和高可靠性的工业控制系统、汽车电子系统以及消费类电子产品中均有广泛应用。例如，在便携式设备中，它可以用于电池供电系统的主开关，以最小化功率损耗并延长电池寿命；在汽车电子中，则可用于车载电源管理系统，以提高能效并满足严格的汽车安全标准。

Si4435BDY, NTD3055L17T4G, AO4406A